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晶体管
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FDD86326

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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4015
3700.75
2,500
¥5.7065
14266.25
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
37 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD86326
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
21 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6387G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 10A 60V Bipolar Power NPN
1:¥6.9156
10:¥5.7291
100:¥3.6951
1,000:¥2.9606
参考库存:20789
IRFPF50PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPF50
1:¥42.1038
10:¥34.8831
参考库存:5971
MJF6388G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9608
参考库存:9608
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
1:¥3.842
10:¥2.5538
100:¥1.4238
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:69970
TK100L60W,VQ
Toshiba
晶体管
MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
1:¥275.6974
5:¥228.9832
10:¥227.2204
25:¥222.5309
参考库存:3967

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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