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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PTAB-5
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	30 A
Rds On-漏源导通电阻	6.4 mOhms, 1.95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.9 V, 1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	9.2 nC, 40 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	8 W
配置	Dual
通道模式	Enhancement
商标名	NexFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.45 mm
长度	5 mm
系列	CSD87384M
晶体管类型	2 N-Channel
类型	Synchronous Buck NexFET Power Stage
宽度	3.5 mm
商标	Texas Instruments
正向跨导 - 最小值	67 S, 240 S
下降时间	7.6 ns, 8.2 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	56 ns, 49 ns
工厂包装数量	250
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	14 ns, 29 ns
典型接通延迟时间	8.7 ns, 17.5 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BC856ALT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 80V PNP	1:¥0.84524 10:¥0.7684 100:¥0.26894 1,000:¥0.18419 3,000:¥0.13786	参考库存:318268
KSA1010YTU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil	1:¥6.8365 10:¥5.8647 100:¥4.4974 500:¥3.9776	参考库存:4035
MMUN2112LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP	1:¥0.92208 10:¥0.82264 100:¥0.29154 1,000:¥0.1921 3,000:¥0.15368	参考库存:190877
MMBFJ310LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	JFET 25V 10mA	1:¥3.5369 10:¥2.6555 100:¥1.4464 1,000:¥1.08367 3,000:¥0.92999 9,000:¥0.87575	参考库存:83629
DDTD142JC-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.47K 10K	1:¥2.3843 10:¥1.6611 100:¥0.69156 1,000:¥0.47686 3,000:¥0.36838	参考库存:103151