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晶体管
ZXTN25050DFHTA参考图片

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ZXTN25050DFHTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V HIGH GAIN
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
3,000
¥1.8419
5525.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN250
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 10 mA, 2 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
300
Pd-功率耗散
1.25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD87503Q3ET
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
250:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:4065
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9099
500:¥5.2206
5,000:¥3.6612
10,000:查看
参考库存:18532
SQJ486EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥4.8816
500:¥4.2036
1,000:¥3.3109
3,000:¥3.1527
参考库存:161524
FF1800R17IP5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥8,726.3346
5:¥8,586.87
参考库存:1691
QPD1003
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
1:¥4,702.608
参考库存:1683

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    50万现货SKU

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