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晶体管
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NSV1C201LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V SOT23 LOW V-SAT
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4239
34.239
100
¥2.0905
209.05
1,000
¥1.6159
1615.9
3,000
¥1.3786
4135.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
30 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
110 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS1C201L
直流电流增益 hFE 最大值
360 at 500 mA, 2 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
490 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SK2221-E
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET 8A, 200V, TO-3P
暂无价格
参考库存:46327
BCX70JT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 200MA
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.5763
参考库存:46332
2N6058
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥412.0206
5:¥389.737
10:¥385.2735
25:¥356.3116
参考库存:46337
BCV27E6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:46342
JANTX2N720A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥135.3966
10:¥123.1022
25:¥113.8814
50:¥107.7342
参考库存:46347

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