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晶体管
APT43GA90BD30参考图片

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APT43GA90BD30

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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库存:3,638(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥72.2296
72.2296
10
¥65.0089
650.089
25
¥59.1668
1479.17
50
¥55.1666
2758.33
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
Pd-功率耗散
337 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
78 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
78 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-CH Fast SwitCH PwrTrenCH MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.6556
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:21187
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,386.1145
2:¥1,352.7682
5:¥1,333.0158
10:¥1,314.1222
参考库存:3539
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥27.8884
10:¥24.973
100:¥22.7469
250:¥20.5208
参考库存:10766
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.5258
10:¥6.1811
2,000:¥6.1811
参考库存:16903
晶体管
MOSFET 1.8V P-Channel
1:¥6.0681
10:¥4.9042
100:¥3.729
500:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.2261
参考库存:83765
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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