DDA123JU-7-F原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.05
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	40 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDA123
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	1 mm
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CZT3150 TR	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Power Transistor NPN	2,000:¥2.5538 10,000:¥2.4634 25,000:¥2.3843	参考库存:431233
NVMFS5C460NLAFT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL	5,000:¥2.4747 10,000:¥2.3843 25,000:¥2.2939	参考库存:26235
VN3515L-G P002	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	2,000:¥5.3675	参考库存:43947
NGTD30T120F2SWK	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 1200V/50A CJ57 FAST IGBT	157:¥28.815 250:¥27.3573 500:¥24.5097 1,000:¥20.6677	参考库存:39847
TK20S04K3L(T6L1,NQ	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014	2,000:¥3.5821 10,000:¥3.4465 24,000:¥3.3335	参考库存:43954