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晶体管
FP15R06W1E3参考图片

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FP15R06W1E3

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库存:1,620(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥239.3566
239.3566
5
¥236.8932
1184.466
10
¥220.7568
2207.568
25
¥210.8467
5271.1675
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
22 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
81 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FP15R06W1E3BOMA1 SP000092046
单位重量
24 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PTNG 120V N-FET 118A
1:¥43.8779
10:¥37.3465
100:¥32.3519
250:¥30.6569
3,000:¥22.0576
参考库存:10976
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Ampl/Switch
1:¥29.1201
10:¥25.9674
100:¥23.6622
250:¥21.357
参考库存:3258
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥245.3456
5:¥233.0512
10:¥226.904
25:¥208.5415
参考库存:2295
晶体管
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:15147
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥275.0081
5:¥262.6346
10:¥254.4195
25:¥233.8196
参考库存:2394
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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