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晶体管
SSM3J118TU,LF参考图片

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SSM3J118TU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=-1.4A VDSS=-30V
  • 数据手册下载
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库存:41,633(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.73789
2213.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UFM-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
800 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM3J118TU
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
0.8 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
6.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T8 80V U8FL
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,500:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:12164
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
800:¥7.9891
4,800:¥7.9891
9,600:¥7.6388
参考库存:27891
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:27896
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XSTR NPN SPCL
3,000:¥0.37629
12,000:¥0.37629
24,000:¥0.35369
45,000:¥0.32996
参考库存:124676
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN
1:¥168.3587
5:¥160.9798
10:¥155.2959
25:¥135.5435
500:¥116.8759
参考库存:27903
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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