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晶体管
DMP3018SSS-13参考图片

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DMP3018SSS-13

  • Diodes Inc. / Pericom
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K
  • 数据手册下载
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库存:13,826(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8307
38.307
100
¥2.4747
247.47
1,000
¥1.9775
1977.5
2,500
¥1.9775
4943.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
10.5 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
10 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
40.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62.2 ns
典型接通延迟时间
7.8 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A
1:¥5.2997
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.2713
参考库存:6096
晶体管
MOSFET Trans MOSFET P-CH & SBD;20V 2.4A 8-Pin TSST T/R
1:¥3.1527
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05316
参考库存:16208
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥50.9404
10:¥40.9512
25:¥40.1828
100:¥37.2674
参考库存:1635
晶体管
MOSFET 40 N-Ch Enh FET 31V to 99V 1810pF
1:¥4.7686
10:¥3.955
100:¥2.4182
1,000:¥1.8645
2,000:¥1.5933
参考库存:1467
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 60V NPN
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:127874
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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