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晶体管
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IPP50R190CEXKSA1

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库存：3,640(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥11.4469
114.469
100
¥9.1417
914.17
500
¥8.0682
4034.1
1,000
¥6.6896
6689.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
24.8 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
47.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
152 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
零件号别名
IPP50R190CE SP000850802
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NJVNJD1718T4G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR DPAK 50V
1:¥5.8421
10:¥4.8364
100:¥3.1301
1,000:¥2.4973
2,500:¥2.1131
参考库存:14400
FF600R12IE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥3,089.9624
5:¥2,903.7045
参考库存:2762
NSVUMC3NT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88A DUAL BRT TR
1:¥2.8476
10:¥2.1357
100:¥1.1639
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.75258
9,000:¥0.69947
参考库存:32734
STF6N65M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
参考库存:10976
STP7N52K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 525 V 6.3 A PAK D
1:¥10.8367
10:¥9.2999
100:¥7.1416
500:¥6.3167
参考库存:7228

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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