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晶体管
SIHP23N60E-GE3参考图片

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SIHP23N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:2,783(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.2783
29.2783
10
¥26.2047
262.047
100
¥21.5943
2159.43
250
¥19.7524
4938.1
500
¥17.6732
8836.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
158 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:173617
晶体管
MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
4,800:¥7.7631
9,600:查看
参考库存:77804
晶体管
MOSFET Nch 40V 30Aw Si MOSFET
1:¥8.1473
10:¥6.9495
100:¥5.3449
500:¥4.7234
3,000:¥3.2996
9,000:查看
参考库存:10861
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥14.7578
10:¥11.8311
100:¥10.3734
500:¥7.9891
1,000:¥6.328
2,000:¥5.6048
参考库存:8233
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
1:¥3.3787
10:¥2.2148
100:¥1.2317
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:16670
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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