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晶体管
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STP30NF10

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp
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库存：17,149(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.684
768.4
500
¥6.8365
3418.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
38 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
115 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP30NF10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STN3N40K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 400V 3.3 Ohm 3A SuperMESH3 3.3W
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
4,000:¥1.5594
参考库存:42364
ZTX718
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Gain
1:¥5.8421
10:¥4.9155
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
参考库存:21256
IRG7PH46UD-EP
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
1:¥91.1345
10:¥83.7556
25:¥80.2978
100:¥70.7719
参考库存:6313
SIA456DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥7.2207
10:¥5.9777
100:¥4.5878
500:¥3.955
3,000:¥3.955
参考库存:13495
ZXMN6A09KTC
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET N-CH 60V
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
1,000:¥6.2376
2,500:¥6.2376
参考库存:14507

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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