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晶体管
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IGW30N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
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库存：4,839(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.815
28.815
10
¥24.4306
244.306
100
¥21.2101
2121.01
250
¥20.1366
5034.15
500
¥18.0574
9028.7
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW30N60TFKSA1 IGW3N6TXK SP000054925
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQA32N20C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
1:¥15.6731
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.379
参考库存:5049
NSVDTC143ZET1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC75 BR XSTR NPN 50V
1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.43844
参考库存:72846
KSB1151YS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.7686
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.034
参考库存:9418
MPS3392
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.4069
1,000:¥1.7967
2,500:¥1.5368
参考库存:10965
NST3906DP6T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP GP TRANS SOT-963
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
8,000:¥0.35369
24,000:查看
参考库存:92002

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    4小时快速发货

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