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晶体管
HN1A01FE-GR,LF参考图片

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HN1A01FE-GR,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built-in transistor
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库存:13,439(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.0001
20.001
100
¥0.84524
84.524
1,000
¥0.61472
614.72
4,000
¥0.46104
1844.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.3 V
最大直流电集电极电流
- 150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
系列
HN1A01
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
集电极连续电流
- 150 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
1:¥37.4256
10:¥31.8095
100:¥27.5833
250:¥26.2047
1,000:¥19.8202
2,000:查看
参考库存:5544
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4693
2,500:¥5.763
5,000:查看
参考库存:69486
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:32658
晶体管
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
1:¥5.3788
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7967
参考库存:72800
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:43090
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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