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晶体管
TSM6502CR RLG参考图片

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TSM6502CR RLG

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库存:8,865(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.6048
56.048
100
¥4.3505
435.05
500
¥3.2318
1615.9
2,500
¥2.2713
5678.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN56-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
5.4 A, 4 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms, 73 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V, - 4.5 V
Qg-栅极电荷
20.8 nC, 9.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
18 ns, 44 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns, 28 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns, 44 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns, 4 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET WDFN6 30V 7OHM
1:¥6.6896
10:¥5.5709
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
3,000:¥2.4295
参考库存:18752
晶体管
MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
3,000:¥6.5427
6,000:查看
参考库存:16074
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥25.8996
10:¥21.9785
100:¥19.0518
250:¥18.0574
1,000:¥13.673
2,000:查看
参考库存:7091
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.1303
3,000:¥4.9946
9,000:查看
参考库存:33758
晶体管
IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Generic Ind App
1:¥105.9601
10:¥97.4286
25:¥93.3606
100:¥82.2188
参考库存:5215
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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