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晶体管
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MRF9045LR1

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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数量单价合计
1
¥599.352
599.352
10
¥499.46
4994.6
25
¥449.514
11237.85
50
¥399.568
19978.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4.25 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
18.8 dB
输出功率
60 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
945 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
正向跨导 - 最小值
3 S
Pd-功率耗散
117 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4.8 V
单位重量
1 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:18172
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
参考库存:35699
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥39.5726
10:¥32.0468
100:¥29.3574
500:¥23.9786
1,000:¥20.4417
参考库存:11111
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 0.15A
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:46273
晶体管
MOSFET N Ch Dep Mode FET 415V
1:¥7.2998
10:¥6.3732
25:¥6.2037
50:¥6.0116
1,000:¥2.825
参考库存:12170
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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