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产品分类

晶体管
MRF9045LR1参考图片

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MRF9045LR1

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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库存:4,284(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥599.352
599.352
10
¥499.46
4994.6
25
¥449.514
11237.85
50
¥399.568
19978.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4.25 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
18.8 dB
输出功率
60 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
945 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
正向跨导 - 最小值
3 S
Pd-功率耗散
117 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4.8 V
单位重量
1 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 30MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:9772
晶体管
IGBT 模块 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
1:¥22.0576
10:¥18.7467
100:¥16.2155
250:¥15.368
800:¥11.6051
2,400:查看
参考库存:3669
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥294.6023
5:¥279.8558
10:¥272.556
25:¥250.4193
参考库存:1551
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
1:¥64.3874
10:¥58.1724
25:¥55.483
100:¥48.1832
3,000:¥35.1882
参考库存:1198
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥142.3122
10:¥129.3172
25:¥119.6444
50:¥113.1808
参考库存:1480
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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