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晶体管
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FB30R06W1E3

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数量单价合计
1
¥283.3136
283.3136
5
¥280.3869
1401.9345
10
¥261.3351
2613.351
25
¥249.5718
6239.295
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
39 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
115 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FB30R06W1E3BOMA1 SP000307549
单位重量
24 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C450NLWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 110A
1:¥7.5258
10:¥6.4636
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,500:¥3.0736
9,000:查看
参考库存:4427
RHK005N03T146
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET N-CH 30V 500MA
1:¥2.9154
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
参考库存:17689
R5007ANX
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Silicon N-channel MOSFET, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5483
1,000:¥4.3731
参考库存:27352
FDC634P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
1:¥3.6838
10:¥3.0397
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2204
参考库存:46721
ZXTP2027FTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60V Transistor
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.5764
参考库存:36488

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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