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晶体管
SISS10ADN-T1-GE3参考图片

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SISS10ADN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
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库存:4,602(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥4.0793
40.793
100
¥3.0962
309.62
500
¥2.5538
1276.9
3,000
¥1.8532
5559.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
31.7 A
Rds On-漏源导通电阻
2.65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
56.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
1,000:¥7.1642
参考库存:7544
晶体管
MOSFET N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥27.5042
10:¥24.5888
100:¥20.0575
250:¥18.3625
参考库存:8051
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 10.6A I2PAK-3 CoolMOS C6
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.5315
1,000:¥7.0625
参考库存:5278
晶体管
MOSFET UniFET 250V
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2152
500:¥8.9948
参考库存:6060
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:23282
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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