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晶体管
IRGP6690DPBF参考图片

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IRGP6690DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT TO-247
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库存:4,943(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥75.8456
75.8456
10
¥68.5458
685.458
25
¥65.3931
1634.8275
100
¥56.7825
5678.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AC-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
Pd-功率耗散
483 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
140 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001533082
单位重量
5.600 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
1:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
1,000:¥3.9324
5,000:¥3.9324
参考库存:12098
晶体管
MOSFET CSD17578Q3A 30 V 8-VSONP
1:¥4.7686
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,500:¥1.8419
参考库存:187185
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V
1:¥4.2262
10:¥3.1075
100:¥1.9549
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:25612
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
1:¥691.0967
5:¥677.7288
10:¥655.287
25:¥627.5568
50:¥618.9462
参考库存:2649
晶体管
MOSFET N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified
1:¥12.2944
10:¥11.4469
100:¥8.3733
500:¥7.119
2,000:¥5.0624
4,000:查看
参考库存:24871
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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