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晶体管
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IRGP6690DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT TO-247
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数量单价合计
1
¥75.8456
75.8456
10
¥68.5458
685.458
25
¥65.3931
1634.8275
100
¥56.7825
5678.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AC-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
Pd-功率耗散
483 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
140 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001533082
单位重量
5.600 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC807-16
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
3,000:¥0.26894
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.1921
45,000:¥0.1695
99,000:¥0.14577
参考库存:42971
BUK7C3R1-80EJ
Nexperia
晶体管
MOSFET BUK7C3R1-80E/D2PAK/REEL 13" Q1
暂无价格
参考库存:42976
SMPJ110A
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 5.0Vds 10mA 4.0Vgs
329:¥21.5943
500:¥19.3682
1,000:¥16.3624
2,500:¥15.5262
参考库存:42981
SUD50N04-06H-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V 109A 136W 6.0mohm @ 10V
2,000:¥11.6051
4,000:¥11.2209
参考库存:42986
6MS16017P43W40383
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥140,269.6572
参考库存:42991

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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