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晶体管
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SD57060-01

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 7 Amp
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数量单价合计
50
¥576.6051
28830.255
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M250
封装
Bulk
配置
Single
高度
3.94 mm
长度
9.91 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD57060-01
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.09 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.5 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
108 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STB6N65K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.2433
500:¥6.3958
参考库存:13834
MG1250S-BA1MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200V 50A Dual
1:¥443.8301
5:¥435.6828
10:¥417.7045
25:¥404.6417
参考库存:4356
JANTX2N3439
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥114.0283
10:¥103.6549
25:¥95.8918
50:¥90.6712
参考库存:4303
DTC123JUBTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:16205
BCR 183 E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:425182

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    50万现货SKU

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