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晶体管
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2N6990

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
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库存:4,615(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥564.9322
564.9322
2
¥553.7904
1107.5808
5
¥547.711
2738.555
10
¥530.5802
5305.802
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-116-14
晶体管极性
NPN
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
75 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
300 mV
最大直流电集电极电流
800 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
325 at 1 mA, 10 VDC
封装
Tray
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
75 at 1 mA, 10 VDC
Pd-功率耗散
1.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SuperSOT
10,000:¥1.4238
参考库存:41503
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -45V
2,500:¥1.00683
参考库存:56398
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
1:¥13.0628
10:¥10.9158
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:21400
晶体管
MOSFET Hi Voltage Low Noise
3,000:¥8.9157
6,000:¥7.7631
9,000:¥7.5823
参考库存:41512
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥548.5585
参考库存:41517
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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