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晶体管
NGTB30N60IHLWG参考图片

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NGTB30N60IHLWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V/30A IGBT FS1 IH TO-2
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库存:5,242(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.883
32.883
10
¥27.9675
279.675
100
¥24.2837
2428.37
250
¥22.9729
5743.225
500
¥20.6677
10333.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NGTB30N60IHLWG
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:46999
晶体管
MOSFET CPU SUP WITH 16K EEPROM
3,000:¥5.7969
6,000:¥5.5822
9,000:¥5.3675
参考库存:80426
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 98A 23mOhm 160nC
1:¥47.8668
10:¥43.2564
50:¥41.1885
100:¥35.8097
参考库存:6783
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 42A 57W 4300pF 61nC
1:¥15.2098
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
3,000:¥6.6218
6,000:查看
参考库存:28655
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 39A 15mOhm SGL N-CH
1:¥7.6049
10:¥6.5088
100:¥4.9946
500:¥4.4183
1,500:¥3.0849
9,000:查看
参考库存:28660
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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