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晶体管
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STGP15M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low loss
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库存：8,838(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.5262
15.5262
10
¥13.221
132.21
100
¥10.5316
1053.16
500
¥9.2208
4610.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
136 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP15M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RM75N60LD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥2.373
5,000:¥2.1696
10,000:¥1.9775
25,000:¥1.9436
参考库存:59030
2N4232A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥209.3099
参考库存:59035
JAN2N2605
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥164.2116
250:¥150.6855
500:¥143.4648
参考库存:59040
JAN2N4029
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
100:¥79.1452
250:¥72.1505
500:¥67.461
1,000:¥61.9353
参考库存:59045
STF24N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:14313

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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