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晶体管
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ARF476FL

  • Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥779.5418
779.5418
2
¥755.4163
1510.8326
5
¥755.179
3775.895
10
¥730.8275
7308.275
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
900 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
150 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
3 mS
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BST52,115
Nexperia
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥4.6104
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
2,000:¥1.695
参考库存:53337
IRG4PC30SPBF
Infineon / IR
晶体管
IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5998
参考库存:5774
SMMUN2211LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:250161
SIRA04DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
3,000:¥5.5596
参考库存:19183
EMG1T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA
1:¥3.3787
10:¥2.3504
100:¥1.08367
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.64523
24,000:查看
参考库存:39110

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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