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晶体管
BSS159NH6906XTSA1参考图片

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BSS159NH6906XTSA1

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库存:22,397(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8646
38.646
100
¥2.4973
249.73
1,000
¥2.0001
2000.1
3,000
¥2.0001
6000.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
230 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS159
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 mS
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
3.1 ns
零件号别名
BSS159N BSS159NH696XT H6906 SP000702636
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/PNP RESISTOR EQUIPPED TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:42865
晶体管
MOSFET Nch 30V Vds 2.5A 0.07Rds(on) 3.7Qg
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
参考库存:32807
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
1:¥7.6049
10:¥6.5201
100:¥5.0059
500:¥4.4296
1,000:¥3.4917
2,500:¥3.4917
参考库存:15019
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Power
1:¥4.8364
10:¥4.068
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
2,000:¥1.6385
参考库存:20791
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:472803
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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