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晶体管
STF12N120K5参考图片

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STF12N120K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
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库存：6,272(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥74.0715
74.0715
10
¥66.9299
669.299
25
¥63.8563
1596.4075
100
¥55.4039
5540.39
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
690 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
44.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
高度
4.6 mm
长度
16.4 mm
产品
Power MOSFET
系列
STF12N120K5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh K5
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
18.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68.5 ns
典型接通延迟时间
23 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGWA25S120DF3
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
1:¥73.0771
10:¥66.0824
25:¥63.0088
100:¥54.7146
参考库存:5330
IKD04N60RA
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
2,500:¥4.4974
10,000:查看
参考库存:17032
STP265N6F6AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥23.6622
10:¥20.1366
100:¥17.4472
250:¥16.5997
参考库存:9409
PSMN1R0-40YLDX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CH 40V 1.1 mOhm logic level MOSFET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
1,000:¥6.8591
1,500:¥6.8591
参考库存:42336
STI33N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
1:¥28.0466
10:¥23.8204
100:¥20.6677
250:¥19.5942
参考库存:9838

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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