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晶体管
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KSA1220AYS

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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.5482
35.482
100
¥2.1696
216.96
1,000
¥1.6724
1672.4
2,500
¥1.4238
3559.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 160 V
集电极—基极电压 VCBO
- 160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.4 V
最大直流电集电极电流
1.2 A
增益带宽产品fT
175 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSA1220A
直流电流增益 hFE 最大值
320
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Bulk
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
400 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N4261UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥262.4877
250:¥240.8934
参考库存:58137
TK50E06K3(S1SS-Q)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
暂无价格
参考库存:58142
STL30P3LLH6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 package
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:23410
2N335A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥428.609
200:¥404.6417
参考库存:58149
2N5459
Central Semiconductor
晶体管
JFET N-Ch 25Vds 25Vdg Engineering Hold
2,500:¥12.7577
5,000:¥12.2944
参考库存:58154

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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