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晶体管
IPB200N15N3 G参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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IPB200N15N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存:16,494(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.0519
21.0519
10
¥17.8992
178.992
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.5204
6260.2
1,000
¥10.3734
10373.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
57 S, 29 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPB200N15N3GATMA1 IPB2N15N3GXT SP000414740
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch 100 Volt 5.2A
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
2,500:¥4.6104
参考库存:271250
晶体管
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4014
参考库存:9642
晶体管
MOSFET Single N-CH 60V 11A, 37A
1:¥5.1528
10:¥4.2488
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
1,500:¥1.8532
参考库存:84199
晶体管
MOSFET MOSFET, 40V, 195A, 1 216 nC Qg, TO-220AB
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
参考库存:12796
晶体管
MOSFET Auto 55V N-Ch FET 2.0mOhm 240A
1:¥33.3463
10:¥28.3517
100:¥24.5888
250:¥23.278
800:¥17.6732
2,400:查看
参考库存:6663
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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