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晶体管
IPP100N08N3GXKSA1参考图片

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IPP100N08N3GXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:8,583(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
1,000
¥5.8534
5853.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
8.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
G IPP100N08N3 IPP1N8N3GXK SP000680856
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V NPN SuperSOT
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:13743
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Voltage
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
参考库存:59460
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 230V 200W NPN
1:¥23.8204
10:¥20.2044
100:¥17.515
250:¥16.5997
500:¥14.9047
参考库存:8082
晶体管
MOSFET 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
参考库存:48074
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6
1:¥7.458
10:¥6.3732
100:¥4.8816
500:¥4.3279
5,000:¥3.0284
10,000:查看
参考库存:16476
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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