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晶体管
DXT2011P5Q-13参考图片

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DXT2011P5Q-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor
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数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.7573
47.573
100
¥3.0623
306.23
1,000
¥2.4634
2463.4
5,000
¥2.4634
12317
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI-5
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
180 mV
最大直流电集电极电流
6 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
300
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
Pd-功率耗散
3.2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
5000
子类别
Transistors
单位重量
93 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥782.0052
参考库存:39604
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
25:¥468.95
50:¥455.8872
100:¥443.5928
参考库存:39609
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V PNP 45Vceo 5.0Vebo 100mA 350mW
17,500:¥0.3842
28,000:¥0.3616
52,500:¥0.33787
101,500:¥0.29154
参考库存:39614
晶体管
MOSFET 650V N channel Mosfet
4,000:¥3.1979
5,000:¥3.0397
10,000:¥2.9719
25,000:¥2.9154
参考库存:39619
晶体管
JFET JFET N-Channel Reel of 1000
1,000:¥8.7575
2,000:¥7.8422
10,000:¥7.4919
参考库存:39624
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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