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晶体管
MJE800STU参考图片

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MJE800STU

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库存:61,522(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.7064
37.064
100
¥2.3843
238.43
1,000
¥1.9097
1909.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
100 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJE800
封装
Tube
高度
11 mm
长度
8 mm
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
单位重量
761 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Volt Trans 300Vcbo 300Vceo 6.0
1:¥11.3678
10:¥9.379
100:¥7.7631
500:¥5.9777
1,000:¥5.4014
参考库存:13371
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:1091898
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥21.8994
10:¥19.8202
100:¥15.9104
500:¥12.3735
参考库存:8915
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:7202
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
1:¥3.6838
10:¥2.8589
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,500:¥0.99892
10,000:¥0.9379
参考库存:60644
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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