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晶体管
SIHG73N60AE-GE3参考图片

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SIHG73N60AE-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:6,861(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥88.2869
88.2869
10
¥79.4503
794.503
25
¥72.3878
1809.695
100
¥65.3931
6539.31
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
394 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
417 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
114 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
96 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
212 ns
典型接通延迟时间
43 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington Transistor
1:¥12,765.045
5:¥12,560.8766
参考库存:3736
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
1:¥1,352.384
25:¥1,169.663
100:¥1,011.6777
参考库存:4128
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
1:¥40.1828
10:¥38.4991
25:¥35.3464
50:¥33.7305
参考库存:4015
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60Vcbo 60Vceo 6.0Vebo 500mA 625mW
1:¥3.1527
10:¥2.6668
100:¥1.6724
1,000:¥1.2656
参考库存:19587
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:47246
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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