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晶体管
BSO110N03MS G参考图片

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BSO110N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
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库存:29,416(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.3449
53.449
100
¥3.4465
344.65
1,000
¥2.7685
2768.5
2,500
¥2.7685
6921.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12.1 A
Rds On-漏源导通电阻
9.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
4.4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
7.8 ns
零件号别名
BSO110N03MSGXUMA1 BSO11N3MSGXT SP000446062
单位重量
540 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PLANAR_MOSFETS
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6727
500:¥6.78
参考库存:16767
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel Single
1:¥15.2889
10:¥13.5261
100:¥10.6785
500:¥8.2942
5,000:¥5.6387
10,000:查看
参考库存:121419
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
1:¥222.0676
5:¥212.2366
10:¥204.7786
25:¥178.7321
参考库存:7161
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:18988
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20A 140V 250W NPN
1:¥53.7089
10:¥48.5674
50:¥46.2622
100:¥40.1828
参考库存:16170
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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