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产品分类

晶体管
IPA083N10N5XKSA1参考图片

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IPA083N10N5XKSA1

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库存:7,333(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2264
4113.2
1,000
¥6.8704
6870.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
36 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPA083N10N5 SP001226038
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6 40V DPAK EXP
1:¥8.3733
10:¥7.1416
100:¥5.4918
500:¥4.8477
2,500:¥3.4013
10,000:查看
参考库存:16480
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥3.3787
10:¥2.3617
100:¥1.08367
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.71416
参考库存:72777
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0964
参考库存:9494
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.5315
2,500:¥6.5427
5,000:查看
参考库存:26791
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥6.1472
3,000:¥6.1472
参考库存:19498
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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