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晶体管
APT75GN60LDQ3G参考图片

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APT75GN60LDQ3G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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库存:2,450(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥90.061
90.061
10
¥81.0662
810.662
25
¥73.8455
1846.1375
50
¥68.7718
3438.59
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
155 A
Pd-功率耗散
536 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
155 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
155 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10.600 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET 25V 0.7mA
1:¥8.3733
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
3,000:¥3.3335
6,000:查看
参考库存:262661
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:232993
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥13.673
10:¥11.3678
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.3506
2,500:¥6.3506
参考库存:15125
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥31.5835
10:¥26.8149
100:¥23.2102
250:¥22.0576
500:¥19.7524
参考库存:3942
晶体管
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.825
参考库存:159739
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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