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晶体管
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2N2918

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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库存:3,224(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥181.1164
181.1164
10
¥179.1954
1791.954
25
¥164.6636
4116.59
50
¥160.7538
8037.69
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-78-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.35 V
增益带宽产品fT
60 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N2918
直流电流增益 hFE 最大值
600
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
30 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
1.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
2N2918 PBFREE
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.6103
10:¥1.808
100:¥0.76049
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.4068
参考库存:170747
晶体管
MOSFET 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.9606
100:¥2.1922
500:¥1.808
3,000:¥1.2769
6,000:查看
参考库存:1186264
晶体管
分立半导体模块 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
1:¥5,859.05
5:¥5,765.3843
参考库存:4286
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1,500:¥3.0736
9,000:¥2.9606
24,000:¥2.8702
参考库存:47735
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE
1:¥1,170.1941
5:¥1,147.2212
10:¥1,093.7383
25:¥1,070.7654
参考库存:4408
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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