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晶体管

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FF200R12KE3

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库存:3,260(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥867.1394
867.1394
5
¥851.229
4256.145
10
¥812.8881
8128.881
25
¥785.8472
19646.18
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.05 kW
封装 / 箱体
IS5a ( 62 mm )-7
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF200R12KE3HOSA1 SP000100735
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600 Volt 13 Amp
1:¥381.7366
5:¥371.6005
10:¥357.1478
25:¥330.3329
参考库存:4433
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
500:¥13.5261
800:¥13.5261
参考库存:11040
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 4.3A
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
4,000:¥2.8815
参考库存:16357
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
1:¥28.8941
10:¥24.5888
100:¥21.2892
250:¥20.2044
500:¥18.1365
参考库存:10129
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
参考库存:8881
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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