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晶体管
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NPT2022

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
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数量单价合计
1
¥988.7726
988.7726
2
¥961.4944
1922.9888
5
¥939.4481
4697.2405
10
¥912.0117
9120.117
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
21 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
160 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
24 mA
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
商标
MACOM
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.6 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
KSD1691YSTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
参考库存:18017
2SC6097-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-CURRENT SWITCHING
1:¥4.5313
10:¥3.8307
100:¥2.4634
700:¥1.9775
2,100:¥1.6611
参考库存:15579
MJF32CG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 30W PNP
1:¥7.1416
10:¥6.0794
100:¥4.6669
500:¥4.1245
参考库存:5851
CPC3701CTR
IXYS Integrated Circuits
晶体管
MOSFET N Channel FET 250V, 360mA
1:¥6.3054
10:¥5.4918
25:¥4.859
50:¥4.7008
1,000:¥2.2148
参考库存:1493
IMT1AT110
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:45125

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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