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晶体管
MRFE8VP8600HSR5参考图片

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MRFE8VP8600HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600HS/CFM4F///REEL 13
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库存:29,593(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,163.1316
1163.1316
5
¥1,140.3056
5701.528
10
¥1,087.1278
10871.278
25
¥1,064.3131
26607.8275
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 115 V
增益
21 dB
输出功率
140 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
470 MHz to 860 MHz
系列
MRFE8VP8600H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.25 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935345546178
单位重量
13.264 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
1:¥15.0629
10:¥12.8368
100:¥10.2152
500:¥8.9948
1,000:¥7.458
参考库存:90449
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 250A 6500V
1:¥16,162.9098
5:¥15,904.5014
参考库存:2926
晶体管
MOSFET 60V N-CH. Low Side MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.7007
参考库存:22053
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:16950
晶体管
MOSFET 4V Drive Pch+Pc Si MOSFET
1:¥4.068
10:¥3.3674
100:¥2.0566
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:13262
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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