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晶体管
IGP20N60H3参考图片

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IGP20N60H3

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库存:9,753(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.2946
162.946
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.3678
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
170 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP20N60H3XKSA1 IGP2N6H3XK SP000702544
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 Hi Vltg Darlington Transistor Arrays
1:¥13.447
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥8.0682
2,000:¥6.1811
4,000:查看
参考库存:18029
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V 300mA
1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:84286
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO
1:¥6.4523
10:¥5.4466
100:¥4.181
500:¥3.6951
2,500:¥2.5877
10,000:查看
参考库存:45498
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR024TR
1:¥7.684
10:¥7.6501
100:¥6.4636
500:¥5.0624
1,000:¥4.0454
2,000:¥3.6838
参考库存:21515
晶体管
MOSFET 400V N-Channel
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥16.5997
250:¥15.7522
500:¥14.1363
参考库存:11042
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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