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晶体管
IGP20N60H3参考图片

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IGP20N60H3

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库存:9,753(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.2946
162.946
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.3678
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
170 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP20N60H3XKSA1 IGP2N6H3XK SP000702544
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.616
10:¥2.5425
100:¥1.1639
1,000:¥0.89948
2,000:¥0.7684
参考库存:32841
晶体管
达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power PNP
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
参考库存:4678
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 20V 0.3A 6PIN
1:¥3.0736
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
3,000:¥0.82264
参考库存:14170
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.616
10:¥1.7854
100:¥1.2204
500:¥0.99892
10,000:¥0.5763
参考库存:51507
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥7.3789
10:¥6.0229
100:¥4.6217
500:¥3.9776
参考库存:19234
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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