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产品分类

晶体管
DMTH10H025SK3-13参考图片

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DMTH10H025SK3-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
  • 数据手册下载
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库存:701,703(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.8646
38.646
100
¥2.486
248.6
1,000
¥2.0001
2000.1
2,500
¥2.0001
5000.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
46.3 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH10H025
商标
Diodes Incorporated
下降时间
13.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.2 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27.5 ns
典型接通延迟时间
8.2 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PLANAR_MOSFETS
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6727
500:¥6.78
参考库存:16767
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel Single
1:¥15.2889
10:¥13.5261
100:¥10.6785
500:¥8.2942
5,000:¥5.6387
10,000:查看
参考库存:121419
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
1:¥222.0676
5:¥212.2366
10:¥204.7786
25:¥178.7321
参考库存:7161
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:18988
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20A 140V 250W NPN
1:¥53.7089
10:¥48.5674
50:¥46.2622
100:¥40.1828
参考库存:16170
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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