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晶体管
BSS192P H6327参考图片

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BSS192P H6327

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库存:11,201(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4691
34.691
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6385
1638.5
2,000
¥1.4012
2802.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
190 mA
Rds On-漏源导通电阻
7.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 6.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
系列
BSS192
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
190 mS
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
4.7 ns
零件号别名
BSS192PH6327FTSA1 SP001047642
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220FP CoolMOS CFD
1:¥37.3465
10:¥31.7304
100:¥27.5042
250:¥26.1256
500:¥23.4362
参考库存:11292
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.4522
10:¥3.6612
100:¥2.2374
1,000:¥1.7289
3,000:¥1.4803
参考库存:21294
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥13.9103
10:¥12.5204
25:¥11.2209
100:¥10.0683
参考库存:29521
晶体管
达林顿晶体管 D-PACK BCE PNP DARL SMT
1:¥7.3789
10:¥6.2602
100:¥4.8138
500:¥4.2488
2,500:¥2.9832
10,000:查看
参考库存:13411
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor SOT363 T&R 3K
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:29528
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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