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晶体管
BSS192P H6327参考图片

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BSS192P H6327

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库存:11,201(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4691
34.691
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6385
1638.5
2,000
¥1.4012
2802.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
190 mA
Rds On-漏源导通电阻
7.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 6.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
系列
BSS192
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
190 mS
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
4.7 ns
零件号别名
BSS192PH6327FTSA1 SP001047642
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:33640
晶体管
MOSFET MOSFT 80V 9.2A 15mOhm 31nC Qg
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6444
500:¥5.876
4,000:¥4.1132
8,000:查看
参考库存:36287
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode -30V Low Rdson -20Vgss
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:120184
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -100V 13A 205mOhm 38.7nC
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8026
500:¥6.0116
1,000:¥4.746
3,000:¥4.746
参考库存:29791
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
1:¥7.458
10:¥6.3732
100:¥4.8929
500:¥4.3279
1,000:¥3.4126
2,000:¥3.4126
参考库存:22238
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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