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晶体管
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STGF20NB60S

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N Ch 13A-600V
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¥22.2836
22.2836
10
¥18.9049
189.049
100
¥15.142
1514.2
500
¥13.221
6610.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF20NB60S
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
24 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGT100TDU60PG
Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥912.9383
参考库存:41899
CMPF4391 TR
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1:¥7.6049
10:¥6.2602
100:¥5.2093
500:¥4.0228
3,000:¥3.2205
9,000:查看
参考库存:156794
2N3442
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100:¥276.7822
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参考库存:41906
2SK209-BL(TE85L,F)
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暂无价格
参考库存:41911
PTFC261402FC-V1-R0
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥646.5295
参考库存:41916

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