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晶体管
IPG20N06S2L50AATMA1参考图片

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IPG20N06S2L50AATMA1

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库存:5,036(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.5994
10.5994
10
¥9.0626
90.626
100
¥6.9721
697.21
500
¥6.1585
3079.25
5,000
¥4.3053
21526.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
51 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
2 ns
零件号别名
IPG20N06S2L-50A SP001023842
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
1:¥73.0771
10:¥66.0824
25:¥63.0088
100:¥54.7146
参考库存:5330
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
2,500:¥4.4974
10,000:查看
参考库存:17032
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥23.6622
10:¥20.1366
100:¥17.4472
250:¥16.5997
参考库存:9409
晶体管
MOSFET N-CH 40V 1.1 mOhm logic level MOSFET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
1,000:¥6.8591
1,500:¥6.8591
参考库存:42336
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
1:¥28.0466
10:¥23.8204
100:¥20.6677
250:¥19.5942
参考库存:9838
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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