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射频晶体管
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MRF151G

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
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1
¥861.0713
861.0713
10
¥807.2833
8072.833
25
¥788.3784
19709.46
50
¥769.5526
38477.63
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
14 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1214-110M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥3,212.3753
参考库存:39713
TGF2023-2-01
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
50:¥232.667
100:¥201.2417
250:¥189.1846
500:¥177.8055
参考库存:5829
AGR09030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
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CGHV60170D
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
暂无价格
参考库存:39725
MS1008MP
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANSISTOR
10:¥1,228.6716
参考库存:39730

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