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射频晶体管
RFM00U7U(TE85L,F)参考图片

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RFM00U7U(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
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1
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10.2152
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82.264
100
¥6.2828
628.28
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¥3.8872
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
100 mA
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
13 dB
输出功率
200 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
520 MHz
系列
RFM00
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
250 mW (1/4 W)
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BLX98
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:37862
CGHV40100F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
1:¥2,507.4474
参考库存:4268
AGR21180EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 38Watt Gain 14dB
10:¥874.055
30:¥774.163
50:¥699.244
100:¥674.271
参考库存:37869
DEV-14634
SparkFun
射频晶体管
射频识别变换器工具 NFC-RFID Expansion Board for Onion Omega
暂无价格
参考库存:37874
TPV8100B
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,551.2414
10:¥1,423.461
25:¥1,277.465
50:¥1,131.469
参考库存:3765

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