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射频晶体管
AFT05MP075NR1参考图片

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AFT05MP075NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4
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数量单价合计
1
¥150.3013
150.3013
10
¥138.1538
1381.538
25
¥132.0857
3302.1425
50
¥124.4017
6220.085
500
¥100.8186
50409.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 40 V
增益
18.5 dB
输出功率
76 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-WB-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
136 MHz to 520 MHz
系列
AFT05MP075N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
7.3 S
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935317733528
单位重量
1.635 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2
250:¥631.1615
参考库存:40100
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,132.5425
5:¥1,107.2644
10:¥1,084.6757
25:¥1,068.6184
150:¥1,006.6831
参考库存:40105
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm
暂无价格
参考库存:40110
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1022HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,646.297
5:¥1,609.572
10:¥1,576.5986
25:¥1,553.3206
50:¥1,496.9223
参考库存:40115
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250W 36V 1200-1400 MHz LDMOS TRANSISTOR
15:¥1,219.2926
30:¥1,202.2409
参考库存:40120
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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