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射频晶体管
STAC2933参考图片

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STAC2933

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 20dB 30MHz STAC N-Ch MOS RF 150MHz
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数量单价合计
1
¥799.136
799.136
5
¥784.3782
3921.891
10
¥749.1109
7491.109
25
¥724.1379
18103.4475
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
23.5 dB
输出功率
400 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC177B
封装
Bulk
配置
Single Common Source
工作频率
30 MHz to 175 MHz
系列
STAC2933
商标
STMicroelectronics
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
400 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BF 771 E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:34572
A2T21S160-12SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S160-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥687.944
参考库存:40388
A3T21H456W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30V
150:¥911.0964
参考库存:40393
AFV121KHR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KH/CFM4F///REEL 13
1:¥4,136.139
5:¥4,072.52
10:¥4,011.8955
25:¥3,925.3714
50:¥3,865.052
参考库存:40398
ARRAYJ-BOB3-64P-GEVK
ON Semiconductor
射频晶体管
光学传感器开发工具 J-ARRAY 3MM 8X8 BOB
1:¥3,587.0494
参考库存:6284

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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