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射频晶体管
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A3T23H300W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
1
¥737.664
737.664
5
¥724.1379
3620.6895
10
¥691.56
6915.6
25
¥668.508
16712.7
100
¥622.4831
62248.31
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 5 V, 65 V
增益
15.6 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2300 MHz to 2400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935374249128
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CGH55015F2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
1:¥528.049
参考库存:3227
D1202UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-400MHz SE
50:¥446.5195
100:¥439.683
参考库存:37048
CG2H80015D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt
暂无价格
参考库存:37053
AFV121KHSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KHS/CFM4F///REEL 13
50:¥3,872.3518
参考库存:37058
SRF4427
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
1:¥23.4362
10:¥18.8258
100:¥17.1308
250:¥15.4471
参考库存:37063

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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