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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	HFA3135
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min	15
集电极—发射极最大电压 VCEO	11 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4.5 V
集电极连续电流	0.026 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
配置	Dual
封装 / 箱体	SOT-23
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	12 V
直流电流增益 hFE 最大值	15 at 10 mA at 2 V, 151 mA at 2 V, 150.1 mA at 2 V, 1510 mA at 5 V, 151 mA at 5 V, 150.1 mA at 5 V
高度	1.15 mm
长度	2.9 mm
工作频率	7000 MHz (Typ)
类型	RF Bipolar Small Signal
宽度	1.6 mm
商标	Renesas / Intersil
增益带宽产品fT	7000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流	0.026 A
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	18 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2N3819	Central Semiconductor	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold	5,000:¥2.4182 10,000:¥2.3278 25,000:¥2.2374	参考库存:37726
MMRF1007HSR5	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V	50:¥4,243.263	参考库存:37731
MRF454	MACOM	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB	1:¥353.8482 10:¥340.243	参考库存:4037
VRF157FL	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥2,207.229 2:¥2,154.1303 5:¥2,122.6259 10:¥2,092.5792	参考库存:3629
BFR193E6327HTSA1	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW	1:¥3.7629 10:¥2.4408 100:¥1.04525 1,000:¥0.80682 3,000:¥0.61472	参考库存:96551